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BSP299 L6327

厂家：
  Infineon Technologies
封装：
 SOT-223-4
数量：
 8428  
说明：
 MOSFET SIPMOS SM-Signal Transistor 500V .4A
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BSP299 L6327 PDF参数资料

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中文参数如下：

零件号别名：BSP299L6327HUSA1 BSP299L6327XT SP000089200
典型关闭延迟时间：55 ns
工厂包装数量：1000
上升时间：15 ns
功率耗散：1800 mW
最小工作温度：- 55 C
下降时间：15 ns
包装形式：Reel
封装形式：SOT-223-4
安装风格：SMD/SMT
最大工作温度：+ 150 C
配置：Single Dual Drain
电阻汲极/源极 RDS（导通）：4000 mOhms
漏极连续电流：0.4 A
闸/源击穿电压：+/- 20 V
汲极/源极击穿电压：500 V
晶体管极性：N-Channel
RoHS：是
产品种类：MOSFET
制造商：Infineon

以上是BSP299 L6327的详细信息，包括BSP299 L6327厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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