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BSP295E6327T

厂家：: Infineon Technologies
封装：: PG-SOT223-4
数量：: 8163
说明：: MOSFET N-CH 60V 1.8A SOT223

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中文参数如下：

FET 型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点：逻辑电平门
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：300 毫欧 @ 1.8A, 10V
漏极至源极电压(Vdss)：60V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：1.8A
Id 时的 Vgs(th)（最大）：1.8V @ 400µA
闸电荷(Qg) @ Vgs：17nC @ 10V
在 Vds 时的输入电容(Ciss) ：368pF @ 25V
功率 - 最大：1.8W
安装类型：表面贴装

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