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BSO051N03MS G

厂家：: Infineon Technologies
封装：: 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
数量：: 9207
说明：: MOSFET OptiMOS 3 M-Series PWR-MOSFET N-CH

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中文参数如下：

零件号别名：BSO051N03MSGXT BSO051N03MSGXUMA1 SP000446068
典型关闭延迟时间：20 ns
工厂包装数量：2500
功率耗散：1560 mW
最小工作温度：- 55 C
包装形式：Reel
封装形式：DSO
最大工作温度：+ 150 C
配置：Single Quad Drain Triple Source
电阻汲极/源极 RDS（导通）：5.1 mOhms
漏极连续电流：14 A
闸/源击穿电压：+/- 20 V
汲极/源极击穿电压：30 V
晶体管极性：N-Channel
RoHS：是
产品种类：MOSFET
制造商：Infineon

以上是BSO051N03MS G的详细信息，包括BSO051N03MS G厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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