BSO051N03MS G

厂家:
  Infineon Technologies
封装:
 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
数量:
 9207  
说明:
 MOSFET OptiMOS 3 M-Series PWR-MOSFET N-CH
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BSO051N03MS G-8-SOIC(0.154

BSO051N03MS G PDF参数资料

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中文参数如下:

零件号别名:BSO051N03MSGXT BSO051N03MSGXUMA1 SP000446068
典型关闭延迟时间:20 ns
工厂包装数量:2500
功率耗散:1560 mW
最小工作温度:- 55 C
包装形式:Reel
封装形式:DSO
最大工作温度:+ 150 C
配置:Single Quad Drain Triple Source
电阻汲极/源极 RDS(导通):5.1 mOhms
漏极连续电流:14 A
闸/源击穿电压:+/- 20 V
汲极/源极击穿电压:30 V
晶体管极性:N-Channel
RoHS:是
产品种类:MOSFET
制造商:Infineon

以上是BSO051N03MS G的详细信息,包括BSO051N03MS G厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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