BSM100GB120DN2

厂家：: Infineon Technologies
封装：: Half Bridge2
数量：: 5319
说明：: IGBT 模块 1200V 100A DUAL

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BSM100GB120DN2 PDF参数资料

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中文参数如下：

工厂包装数量：500
安装风格：Screw
栅极/发射极最大电压：20 V
封装形式：Half Bridge2
最大工作温度：+ 150 C
功率耗散：800 W
栅极—射极漏泄电流：200 nA
在25 C的连续集电极电流：150 A
集电极—射极饱和电压：2.5 V
集电极—发射极最大电压 VCEO：1200 V
配置：Half Bridge Module
产品：IGBT Silicon Modules
RoHS：是
产品种类：IGBT 模块
制造商：Infineon

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