BSG0813NDIATMA1

厂家：: Infineon Technologies
封装：: PG-TISON-8
数量：: 5346
说明：: MOSFET 2N-CH 25V 19A/33A TISON8

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中文参数如下：
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封装封装/外壳：8-PowerTDFN
安装类型：表面贴装型
工作温度：-55°C ~ 155°C（TJ）
功率 - 最大值：2.5W
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：1100pF @ 12V
不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）：8.4nC @ 4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：2V @ 250μA
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：3 毫欧 @ 20A，10V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：19A，33A
漏源电压（Vdss）：25V
FET 功能：逻辑电平栅极，4.5V 驱动
配置：2 N 沟道（双）非对称型
技术：MOSFET（金属氧化物）
产品状态：在售
包装：-
系列：卷带（TR）,剪切带（CT）,Digi-Reel? 得捷定制卷带
品牌：Infineon Technologies

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