BSD816SNL6327HTSA1

厂家：: Infineon Technologies
封装：: PG-SOT363-PO
数量：: 1233
说明：: MOSFET N-CH 20V 1.4A SOT363-6

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BSD816SNL6327HTSA1 PDF参数资料

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中文参数如下：
：-55°C ~ 150°C（TJ）
功率耗散（最大值）：500mW（Ta）
FET 功能：-
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：180 pF @ 10 V
Vgs（最大值）：±8V
不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）：0.6 nC @ 2.5 V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：950mV @ 3.7μA
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：160 毫欧 @ 1.4A，2.5V
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：1.8V，2.5V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：1.4A（Ta）
漏源电压（Vdss）：20 V
技术：MOSFET（金属氧化物）
FET 类型：N 通道
产品状态：停产
包装：OptiMOS?
系列：卷带（TR）,剪切带（CT）,Digi-Reel? 得捷定制卷带
品牌：Infineon Technologies

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