BSD314SPEL6327HTSA1

厂家：: Infineon Technologies
封装：: PG-SOT363-PO
数量：: 1224
说明：: MOSFET P-CH 30V 1.5A SOT363-6

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BSD314SPEL6327HTSA1 PDF参数资料

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中文参数如下：
：-55°C ~ 150°C（TJ）
功率耗散（最大值）：500mW（Ta）
FET 功能：-
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：294 pF @ 15 V
Vgs（最大值）：±20V
不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）：2.9 nC @ 10 V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：2V @ 6.3μA
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：140 毫欧 @ 1.5A，10V
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：1.5A（Ta）
漏源电压（Vdss）：30 V
技术：MOSFET（金属氧化物）
FET 类型：P 通道
产品状态：停产
包装：OptiMOS?
系列：卷带（TR）,剪切带（CT）,Digi-Reel? 得捷定制卷带
品牌：Infineon Technologies

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