BSD223P

厂家：: Infineon Technologies
封装：: PG-SOT363-PO
数量：: 1773
说明：

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BSD223P PDF参数资料

中文参数如下：
：
封装封装/外壳：6-VSSOP，SC-88，SOT-363
安装类型：表面贴装型
工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
功率 - 最大值：250mW
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：56pF @ 15V
不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）：0.62nC @ 4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：1.2V @ 1.5μA
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：1.2 欧姆 @ 390mA，4.5V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：390mA
漏源电压（Vdss）：20V
FET 功能：逻辑电平门
配置：2 个 P 沟道（双）
技术：MOSFET（金属氧化物）
产品状态：停产
包装：OptiMOS?
系列：卷带（TR）,剪切带（CT）,Digi-Reel? 得捷定制卷带
品牌：Infineon Technologies

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