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BSC112N06LDATMA1

厂家：
  Infineon Technologies
封装：
 PG-TDSON-8-4
数量：
 4662  
说明：
 TRENCH 40<-<100V
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BSC112N06LDATMA1-PG-TDSON-8-4图片

BSC112N06LDATMA1 PDF参数资料

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中文参数如下：
：
封装封装/外壳：8-PowerVDFN
安装类型：表面贴装型
工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）
功率 - 最大值：65W（Tc）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：4020pF @ 30V
不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）：55nC @ 10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：2.2V @ 28μA
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：11.2 毫欧 @ 17A，10V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：20A（Tc）
漏源电压（Vdss）：60V
FET 功能：逻辑电平门
配置：2 N-通道（双）
技术：MOSFET（金属氧化物）
产品状态：在售
包装：OptiMOS?-T2
系列：卷带（TR）,剪切带（CT）,Digi-Reel? 得捷定制卷带
品牌：Infineon Technologies

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