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BSC0921NDIATMA1

厂家：
  Infineon Technologies
封装：
 PG-TISON-8
数量：
 29362  
说明：
 MOSFET 2N-CH 30V 17A/31A TISON8
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中文参数如下：
：
封装封装/外壳：8-PowerTDFN
安装类型：表面贴装型
工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
功率 - 最大值：1W
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：1025pF @ 15V
不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）：8.9nC @ 4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：2V @ 250μA
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：5 毫欧 @ 20A，10V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：17A，31A
漏源电压（Vdss）：30V
FET 功能：逻辑电平栅极，4.5V 驱动
配置：2 N 沟道（双）非对称型
技术：MOSFET（金属氧化物）
产品状态：在售
包装：OptiMOS?
系列：卷带（TR）,剪切带（CT）,Digi-Reel? 得捷定制卷带
品牌：Infineon Technologies

以上是BSC0921NDIATMA1的详细信息，包括BSC0921NDIATMA1厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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