BSC060P03NS3E G

厂家：: Infineon Technologies
封装：: TDSON-8
数量：: 14905
说明：: MOSFET P-Channel -30V MOSFET

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中文参数如下：

零件号别名：BSC060P03NS3EGATMA1 BSC060P03NS3EGXT SP000472984
典型关闭延迟时间：66 nS
工厂包装数量：5000
上升时间：139 nS
功率耗散：83 W
最小工作温度：- 55 C
栅极电荷 Qg：61 nC
下降时间：34 nS
包装形式：Reel
封装形式：TDSON-8
安装风格：SMD/SMT
最大工作温度：+ 150 C
配置：Single Quad Drain Triple Source
电阻汲极/源极 RDS（导通）：6 mOhms at - 10 V
漏极连续电流：- 100 A
闸/源击穿电压：+/- 25 V
汲极/源极击穿电压：- 30 V
晶体管极性：P-Channel
RoHS：是
制造商：Infineon

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