BS7067N06LS3G

厂家：: Infineon Technologies
封装：: PG-TSDSON-8
数量：: 8559
说明：: MOSFET N-CH 60V 20A TSDSON-8

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中文参数如下：
FET 型MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点逻辑电平门
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C6.7 毫欧 @ 20A, 10V
漏极至源极电压(Vdss)60V
Id 时的 Vgs(th)（最大）2.2V @ 35µA
闸电荷(Qg) @ Vgs62nC @ 10V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C20A
在 Vds 时的输入电容(Ciss) 4800pF @ 30V
功率 - 最大78W
安装类型表面贴装

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