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中文参数如下:
工厂包装数量:20000
功率耗散:0.83 W
包装形式:Ammo
封装形式:TO-92
安装风格:Through Hole
电阻汲极/源极 RDS(导通):14 Ohms
漏极连续电流:- 0.18 A
闸/源击穿电压:+/- 25 V
汲极/源极击穿电压:- 45 V
晶体管极性:P-Channel
RoHS:否
产品种类:MOSFET
制造商:Vishay
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