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中文参数如下:
功率耗散:500 mW
最小工作温度:- 55 C
封装形式:TO-92
安装风格:Through Hole
最大工作温度:+ 150 C
配置:Single
电阻汲极/源极 RDS(导通):30000 mOhms at 2.7 V
漏极连续电流:0.12 A
闸/源击穿电压:20 V
汲极/源极击穿电压:200 V
晶体管极性:N-Channel
RoHS:否
制造商:Diodes Inc.
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