BLF6G15L-40RN,112

厂家：: NXP Semiconductors
封装：: SOT1135A
数量：: 8748
说明：: 射频MOSFET电源晶体管 Pwr LDMOS transistor transistor

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BLF6G15L-40RN,112 PDF参数资料

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中文参数如下：

工厂包装数量：60
安装风格：SMD/SMT
包装形式：Tube
封装形式：SOT-1135A
最大工作温度：+ 150 C
闸/源击穿电压：11 V
漏极连续电流：11 A
汲极/源极击穿电压：65 V
输出功率：2.5 W
增益：21.5 dB
频率：1.45 GHz to 1.55 GHz
晶体管极性：N-Channel
配置：Single
RoHS：是
制造商：NXP

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