BLF6G15L-40RN,118

厂家:
  NXP Semiconductors
封装:
 SOT1135A
数量:
 8757  
说明:
 射频MOSFET电源晶体管 Pwr LDMOS transistor transistor
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BLF6G15L-40RN,118 PDF参数资料

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中文参数如下:

工厂包装数量:100
安装风格:SMD/SMT
包装形式:Reel
封装形式:SOT-1135A
最大工作温度:+ 150 C
闸/源击穿电压:11 V
漏极连续电流:11 A
汲极/源极击穿电压:65 V
输出功率:2.5 W
增益:21.5 dB
频率:1.45 GHz to 1.55 GHz
晶体管极性:N-Channel
配置:Single
RoHS:是
制造商:NXP

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