BFU660F,115

厂家：: NXP Semiconductors
封装：: 4-DFP
数量：: 12886
说明：: 射频双极小信号晶体管 Single NPN 21GHz

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BFU660F,115 PDF参数资料

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中文参数如下：

工厂包装数量：3000
安装风格：SMD/SMT
增益带宽产品fT：21 GHz
包装形式：Reel
封装形式：SOT-343F
最大工作温度：+ 150 C
直流集电极/Base Gain hfe Min：90
功率耗散：225 mW
集电极连续电流：30 mA
发射极 - 基极电压 VEBO：2.5 V
集电极—发射极最大电压 VCEO：5.5 V
晶体管极性：NPN
配置：Single
RoHS：是
制造商：NXP

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