BFU725F/N1,115

厂家：: NXP Semiconductors
封装：: 4-SO
数量：: 6217
说明：: 射频双极小信号晶体管 2.8V 0.04A 4-Pin Trans GP BJT NPN

一、本商品被浏览0次.

BFU725F/N1,115 PDF参数资料

点击下载PDF参数资料
中文参数如下：

工厂包装数量：3000
安装风格：SMD/SMT
最小工作温度：- 65 C
增益带宽产品fT：55000 MHz
直流电流增益 hFE 最大值：160 at 10 mA at 2 V
包装形式：Reel
封装形式：SOT-343
最大工作温度：+ 150 C
直流集电极/Base Gain hfe Min：40
功率耗散：136 mW
集电极连续电流：40 mA
发射极 - 基极电压 VEBO：0.55 V
集电极—发射极最大电压 VCEO：2.8 V
最大工作频率：55 GHz
晶体管极性：NPN
配置：Single
RoHS：是
制造商：NXP

以上是BFU725F/N1,115的详细信息，包括BFU725F/N1,115厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

其他晶体管产品：

达林顿晶体管 JFET IGBT 晶体管开关晶体管 - 偏压电阻器 IGBT 模块

两极晶体管 - BJT 最新产品：