BD435G

厂家：: ON Semiconductor
封装：: TO-126
数量：: 1179
说明：: 两极晶体管 - BJT BIP NPN 4A 22V

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BD435G PDF参数资料

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中文参数如下：
供应商器件：
封装封装/外壳：TO-225AA，TO-126-3
安装类型：通孔
工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
频率 - 跃迁：3MHz
功率 - 最大值：36 W
不同?Ic、Vce?时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：85 @ 500mA，1V
电流 - 集电极截止（最大值）：100μA（ICBO）
不同?Ib、Ic 时?Vce 饱和压降（最大值）：500mV @ 200mA，2A
电压 - 集射极击穿（最大值）：32 V
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：4 A
晶体管类型：NPN
产品状态：停产
包装：-
系列：散装
品牌：onsemi

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