BD435S

厂家：: Fairchild Semiconductor
封装：: TO-126
数量：: 1188
说明：: 两极晶体管 - BJT NPN Epitaxial Sil

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BD435S PDF参数资料

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中文参数如下：

零件号别名：BD435S_NL
工厂包装数量：250
包装形式：Bulk
最小工作温度：- 65 C
最大功率耗散：36 W
集电极连续电流：4 A
封装形式：TO-126
安装风格：Through Hole
最大工作温度：+ 150 C
直流集电极/Base Gain hfe Min：40
增益带宽产品fT：3 MHz
最大直流电集电极电流：4 A
集电极—射极饱和电压：32 V
发射极 - 基极电压 VEBO：5 V
集电极—发射极最大电压 VCEO：32 V
集电极—基极电压 VCBO：32 V
晶体管极性：NPN
配置：Single
RoHS：是
产品种类：两极晶体管 - BJT
制造商：Fairchild Semiconductor

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