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BD243BG

厂家：
  ON Semiconductor
封装：
 TO-220-3
数量：
 54  
说明：
 两极晶体管 - BJT 6A 80V 65W NPN
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BD243BG-TO-220-3图片

BD243BG PDF参数资料

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中文参数如下：

工厂包装数量：50
包装形式：Tube
最小工作温度：- 65 C
最大功率耗散：65 W
集电极连续电流：6 A
封装形式：TO-220-3
安装风格：Through Hole
最大工作温度：+ 150 C
直流集电极/Base Gain hfe Min：30
增益带宽产品fT：3 MHz
最大直流电集电极电流：6 A
集电极—射极饱和电压：80 V
发射极 - 基极电压 VEBO：5 V
集电极—发射极最大电压 VCEO：80 V
集电极—基极电压 VCBO：80 V
晶体管极性：NPN
配置：Single
RoHS：是
产品种类：两极晶体管 - BJT
制造商：ON Semiconductor

以上是BD243BG的详细信息，包括BD243BG厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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