BD243TU

厂家：: Fairchild Semiconductor
封装：: TO-220
数量：: 666
说明：: 两极晶体管 - BJT NPN Si Transistor Epitaxial

一、本商品被浏览0次.

BD243TU PDF参数资料

点击下载PDF参数资料
中文参数如下：

工厂包装数量：50
包装形式：Tube
最小工作温度：- 65 C
最大功率耗散：65 W
集电极连续电流：6 A
封装形式：TO-220
安装风格：Through Hole
最大工作温度：+ 150 C
直流集电极/Base Gain hfe Min：30
最大直流电集电极电流：6 A
集电极—射极饱和电压：45 V
发射极 - 基极电压 VEBO：5 V
集电极—发射极最大电压 VCEO：45 V
集电极—基极电压 VCBO：45 V
晶体管极性：NPN
配置：Single
RoHS：是
产品种类：两极晶体管 - BJT
制造商：Fairchild Semiconductor

以上是BD243TU的详细信息，包括BD243TU厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

其他晶体管产品：

达林顿晶体管 JFET IGBT 晶体管开关晶体管 - 偏压电阻器 IGBT 模块

两极晶体管 - BJT 最新产品：