BD13610S

厂家：: Fairchild Semiconductor
封装：: TO-126-3
数量：: 10163
说明：: 两极晶体管 - BJT PNP Si Transistor Epitaxial

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BD13610S PDF参数资料

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中文参数如下：
供应商器件：
封装封装/外壳：TO-225AA，TO-126-3
安装类型：通孔
工作温度：150°C（TJ）
频率 - 跃迁：-
功率 - 最大值：1.25 W
不同?Ic、Vce?时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：63 @ 150mA，2V
电流 - 集电极截止（最大值）：100nA（ICBO）
不同?Ib、Ic 时?Vce 饱和压降（最大值）：500mV @ 50mA，500mA
电压 - 集射极击穿（最大值）：45 V
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：1.5 A
晶体管类型：PNP
产品状态：在售
包装：-
系列：散装
品牌：onsemi

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