BD13710S

厂家:
  Fairchild Semiconductor
封装:
 TO-126
数量:
 11157  
说明:
 两极晶体管 - BJT NPN Si Transistor Epitaxial
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BD13710S PDF参数资料

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中文参数如下:

工厂包装数量:250
包装形式:Bulk
最小工作温度:- 55 C
最大功率耗散:12.5 W
直流电流增益 hFE 最大值:160
集电极连续电流:1.5 A
封装形式:TO-126
安装风格:Through Hole
最大工作温度:+ 150 C
直流集电极/Base Gain hfe Min:40
最大直流电集电极电流:1.5 A
集电极—射极饱和电压:60 V
发射极 - 基极电压 VEBO:5 V
集电极—发射极最大电压 VCEO:60 V
集电极—基极电压 VCBO:60 V
晶体管极性:NPN
配置:Single
RoHS:是
产品种类:两极晶体管 - BJT
制造商:Fairchild Semiconductor

以上是BD13710S的详细信息,包括BD13710S厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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