BAS116E6433HTMA1

厂家：: Infineon Technologies
封装：: PG-SOT23
数量：: 6624
说明：: DIODE GEN PURP 80V 250MA SOT23

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BAS116E6433HTMA1 PDF参数资料

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中文参数如下：
封装工作温度 - 结封装：PG-SOT23
封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
安装类型：表面贴装型
不同?Vr、F 时电容：2pF @ 0V，1MHz
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏：5 nA @ 75 V
反向恢复时间 (trr)：1.5 μs
速度：标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）
不同 If 时电压 - 正向 (Vf)：1.25 V @ 150 mA
电流 - 平均整流 (Io)：250mA
电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）：80 V
技术：标准
产品状态：不适用于新设计
包装：-
系列：卷带（TR）
品牌：Infineon Technologies

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