BAS116HMFHT116

厂家:
  Rohm Semiconductor
封装:
 SSD3
数量:
 6660  
说明:
 DIODE GEN PURP 80V 215MA SSD3
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BAS116HMFHT116 PDF参数资料

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中文参数如下:
封装工作温度 - 结封装:SSD3
封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
安装类型:表面贴装型
不同?Vr、F 时电容:4pF @ 0V,1MHz
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5 nA @ 75 V
反向恢复时间 (trr):3 μs
速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io)
不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.25 V @ 150 mA
电流 - 平均整流 (Io):215mA
电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):80 V
技术:标准
产品状态:不适用于新设计
包装:Automotive, AEC-Q101
系列:卷带(TR),剪切带(CT),Digi-Reel? 得捷定制卷带
品牌:Rohm Semiconductor

以上是BAS116HMFHT116的详细信息,包括BAS116HMFHT116厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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