AUIRF7739L2TR1

厂家:
  International Rectifier
封装:
 Direct-FET L8
数量:
 8109  
说明:
 MOSFET 40V AUTOGRADE 1 N-CH HEXFET 1mOhm
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AUIRF7739L2TR1 PDF参数资料

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中文参数如下:

典型关闭延迟时间:56 ns
工厂包装数量:1000
功率耗散:125 W
最小工作温度:- 55 C
栅极电荷 Qg:220 nC
包装形式:Reel
封装形式:Direct-FET L8
配置:Single Quad Drain
电阻汲极/源极 RDS(导通):1 mOhms
漏极连续电流:270 A
闸/源击穿电压:20 V
汲极/源极击穿电压:40 V
晶体管极性:N-Channel
RoHS:是
制造商:International Rectifier

以上是AUIRF7739L2TR1的详细信息,包括AUIRF7739L2TR1厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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