AUIRF7665S2TR

厂家:
  International Rectifier
封装:
 DirectFET? 等距 SB
数量:
 7992  
说明:
 MOSFET 100V AUTO GRADE 1 N-CH HEXFET
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中文参数如下:

典型关闭延迟时间:7.1 ns
工厂包装数量:4800
功率耗散:30 W
最小工作温度:- 55 C
栅极电荷 Qg:8.3 nC
包装形式:Reel
封装形式:Direct-FET SB
配置:Single Quad Drain
电阻汲极/源极 RDS(导通):62 mOhms
漏极连续电流:14.4 A
闸/源击穿电压:20 V
汲极/源极击穿电压:100 V
晶体管极性:N-Channel
RoHS:是
制造商:International Rectifier

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