AUIRF7665S2TR1

厂家：: International Rectifier
封装：: Direct-FET SB
数量：: 8001
说明：: MOSFET 100V AUTO GRADE 1 N-CH HEXFET

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AUIRF7665S2TR1 PDF参数资料

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中文参数如下：

典型关闭延迟时间：7.1 ns
工厂包装数量：1000
功率耗散：30 W
最小工作温度：- 55 C
栅极电荷 Qg：8.3 nC
包装形式：Reel
封装形式：Direct-FET SB
配置：Single Quad Drain
电阻汲极/源极 RDS（导通）：62 mOhms
漏极连续电流：14.4 A
闸/源击穿电压：20 V
汲极/源极击穿电压：100 V
晶体管极性：N-Channel
RoHS：是
制造商：International Rectifier

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