AUIRF5210S

厂家：: Infineon Technologies
封装：: D2PAK
数量：: 2052
说明：: MOSFET P-CH 100V 38A D2PAK

一、本商品被浏览0次.

AUIRF5210S PDF参数资料

点击下载PDF参数资料
中文参数如下：
：-55°C ~ 150°C（TJ）
功率耗散（最大值）：3.1W（Ta），170W（Tc）
FET 功能：-
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：2780 pF @ 25 V
Vgs（最大值）：±20V
不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）：230 nC @ 10 V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：4V @ 250μA
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：60 毫欧 @ 38A，10V
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：38A（Tc）
漏源电压（Vdss）：100 V
技术：MOSFET（金属氧化物）
FET 类型：P 通道
产品状态：停产
包装：HEXFET?
系列：管件
品牌：Infineon Technologies

以上是AUIRF5210S的详细信息，包括AUIRF5210S厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

其他晶体管产品：

达林顿晶体管两极晶体管 - BJT JFET IGBT 晶体管开关晶体管 - 偏压电阻器

MOSFET最新产品：