APTM10HM09FTG

厂家：: Microsemi Corporation
封装：: SP4
数量：: 1152
说明：: MOSFET MODULE FULL BRIDGE SP4

一、本商品被浏览0次.

APTM10HM09FTG PDF参数资料

点击下载PDF参数资料
中文参数如下：
FET 型4 N 通道（半桥）
FET 特点标准型
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C10 毫欧 @ 69.5A, 10V
漏极至源极电压(Vdss)100V
Id 时的 Vgs(th)（最大）4V @ 2.5mA
闸电荷(Qg) @ Vgs350nC @ 10V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C139A
在 Vds 时的输入电容(Ciss) 9875pF @ 25V
功率 - 最大390W
安装类型底座安装

以上是APTM10HM09FTG的详细信息，包括APTM10HM09FTG厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

其他晶体管产品：

达林顿晶体管两极晶体管 - BJT JFET IGBT 晶体管开关晶体管 - 偏压电阻器

MOSFET最新产品：