APTCV50H60T3G

厂家：: Microchip Technology
封装：
数量：: 7478
说明：: IGBT TRENCH FULL BRIDGE SP3

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APTCV50H60T3G PDF参数资料

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中文参数如下：
电压 - 集电极发射极击穿（最大）600V
Vge, Ic时的最大Vce（开）1.9V @ 15V, 50A
电流 - 集电极 (Ic)（最大）80A
电流 - 集电极截止（最大）250µA
Vce 时的输入电容 (Cies)3.15nF @ 25V
功率 - 最大176W
输入标准型
配置全桥
NTC 热敏电阻是
安装类型底座安装

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