APTCV90TL12T3G

厂家:
  Microsemi Corporation
封装:
 SP3
数量:
 5994  
说明:
 POWER MODULE IGBT QUAD 900V SP3
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APTCV90TL12T3G PDF参数资料

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中文参数如下:
电压 - 集电极发射极击穿(最大)1200V
Vge, Ic时的最大Vce(开)2.2V @ 15V, 50A
电流 - 集电极 (Ic)(最大)80A
电流 - 集电极截止(最大)1mA
Vce 时的输入电容 (Cies)2.77nF @ 25V
功率 - 最大280W
输入标准型
配置三级反相器 - IGBT, FET
NTC 热敏电阻是
安装类型底座安装

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