中文参数如下：
：-55°C ~ 150°C（TJ）
功率耗散（最大值）：520W（Tc）
FET 功能：-
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：6500 pF @ 25 V
Vgs（最大值）：±30V
不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）：370 nC @ 10 V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：4V @ 2.5mA
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：120 毫欧 @ 21.5A，10V
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：43A（Tc）
漏源电压（Vdss）：500 V
技术：MOSFET（金属氧化物）
FET 类型：N 通道
产品状态：停产
包装：POWER MOS IV?
系列：托盘
品牌：Microsemi Corporation
以上是APT5012JN的详细信息，包括APT5012JN厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!
