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APT31M100B2

厂家：
  Microchip Technology
封装：
 T-MAX-3
数量：
 3515  
说明：
 MOSFET N-CH 1000V 31A T-MAX
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APT31M100B2-T-MAX-3图片

APT31M100B2 PDF参数资料

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中文参数如下：
FET 型MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点标准型
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C400 毫欧 @ 16A, 10V
漏极至源极电压(Vdss)1000V (1kV)
Id 时的 Vgs(th)（最大）5V @ 2.5mA
闸电荷(Qg) @ Vgs260nC @ 10V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C31A
在 Vds 时的输入电容(Ciss) 8500pF @ 25V
功率 - 最大1040W
安装类型通孔

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