APT12080JVR

厂家：: Microsemi Corporation
封装：: ISOTOP?
数量：: 6966
说明：

一、本商品被浏览0次.

APT12080JVR PDF参数资料

中文参数如下：
：-55°C ~ 150°C（TJ）
功率耗散（最大值）：450W（Tc）
FET 功能：-
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：7800 pF @ 25 V
Vgs（最大值）：±30V
不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）：485 nC @ 10 V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：4V @ 2.5mA
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：800 毫欧 @ 7.5A，10V
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：15A（Tc）
漏源电压（Vdss）：1200 V
技术：MOSFET（金属氧化物）
FET 类型：N 通道
产品状态：停产
包装：POWER MOS V?
系列：散装
品牌：Microsemi Corporation

以上是APT12080JVR的详细信息，包括APT12080JVR厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

其他晶体管产品：

达林顿晶体管两极晶体管 - BJT JFET IGBT 晶体管开关晶体管 - 偏压电阻器

MOSFET最新产品：