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APT10M11JVR

厂家：: Microsemi Corporation
封装：: ISOTOP?
数量：: 1881
说明：

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APT10M11JVR PDF参数资料

中文参数如下：
：-55°C ~ 150°C（TJ）
功率耗散（最大值）：450W（Tc）
FET 功能：-
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：10300 pF @ 25 V
Vgs（最大值）：±30V
不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）：450 nC @ 10 V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：4V @ 2.5mA
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：-
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：144A（Tc）
漏源电压（Vdss）：100 V
技术：MOSFET（金属氧化物）
FET 类型：N 通道
产品状态：停产
包装：POWER MOS V?
系列：散装
品牌：Microsemi Corporation

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