APT10M11JVR

厂家:
  Microsemi Corporation
封装:
 ISOTOP?
数量:
 1881  
说明:
 
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APT10M11JVR PDF参数资料

中文参数如下:
:-55°C ~ 150°C(TJ)
功率耗散(最大值):450W(Tc)
FET 功能:-
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):10300 pF @ 25 V
Vgs(最大值):±30V
不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值):450 nC @ 10 V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):4V @ 2.5mA
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):-
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):144A(Tc)
漏源电压(Vdss):100 V
技术:MOSFET(金属氧化物)
FET 类型:N 通道
产品状态:停产
包装:POWER MOS V?
系列:散装
品牌:Microsemi Corporation

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