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中文参数如下：
：-55°C ~ 175°C（TJ）
功率耗散（最大值）：2.1W（Ta），250W（Tc）
FET 功能：-
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：5154 pF @ 40 V
Vgs（最大值）：±20V
不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）：100 nC @ 10 V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：3.3V @ 250μA
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：4.5 毫欧 @ 20A，10V
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：6V，10V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：16A（Ta），105A（Tc）
漏源电压（Vdss）：80 V
技术：MOSFET（金属氧化物）
FET 类型：N 通道
产品状态：在售
包装：-
系列：管件
品牌：Alpha & Omega Semiconductor Inc.
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