中文参数如下：
：-55°C ~ 175°C（TJ）
功率耗散（最大值）：2W（Ta），18.8W（Tc）
FET 功能：-
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：620 pF @ 10 V
Vgs（最大值）：±12V
不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）：4.6 nC @ 4.5 V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：1.4V @ 250μA
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：75 毫欧 @ 12.5A，10V
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：2.5V，4.5V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：12.5A（Ta）
漏源电压（Vdss）：20 V
技术：MOSFET（金属氧化物）
FET 类型：P 通道
产品状态：停产
包装：-
系列：卷带（TR）
品牌：Alpha & Omega Semiconductor Inc.
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