ALD114935SAL

厂家：: Advanced Linear Devices
封装：: 8-SOIC
数量：: 7488
说明：: MOSFET Dual EPAD(R) N-Ch

一、本商品被浏览0次.

ALD114935SAL PDF参数资料

点击下载PDF参数资料
中文参数如下：

典型关闭延迟时间：10 ns
工厂包装数量：50
功率耗散：500 mW
最小工作温度：0 C
正向跨导 gFS（最大值/最小值）：0.0014 S
封装形式：SOIC-8
安装风格：SMD/SMT
最大工作温度：+ 70 C
配置：Dual
电阻汲极/源极 RDS（导通）：540 Ohms
漏极连续电流：12 mA
闸/源击穿电压：10.6 V
汲极/源极击穿电压：10 V
晶体管极性：N-Channel
RoHS：是
产品种类：MOSFET
制造商：Advanced Linear Devices

以上是ALD114935SAL的详细信息，包括ALD114935SAL厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

其他晶体管产品：

达林顿晶体管两极晶体管 - BJT JFET IGBT 晶体管开关晶体管 - 偏压电阻器

MOSFET最新产品：