ALD1109EPAL

厂家：: Advanced Linear Devices
封装：: PDIP-8
数量：: 2646
说明：: MOSFET Dual N-Ch Pair Array

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ALD1109EPAL PDF参数资料

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中文参数如下：

工厂包装数量：50
功率耗散：500 mW
正向跨导 gFS（最大值/最小值）：0.0014 S
封装形式：PDIP-8
安装风格：Through Hole
电阻汲极/源极 RDS（导通）：500 Ohms
漏极连续电流：12 mA
闸/源击穿电压：10.6 V
汲极/源极击穿电压：10 V
晶体管极性：N-Channel
RoHS：是
产品种类：MOSFET
制造商：Advanced Linear Devices

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