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中文参数如下:
上升时间:0.8 us
输出设备:Phototransistor
每芯片的通道数量:1 Channel
绝缘电压:5000 Vrms
下降时间:0.8 us
包装形式:Tube
封装形式:DIP-8
最小工作温度:- 55 C
最大工作温度:+ 100 C
最大功率耗散:100 mW
最大输入二极管电流:25 mA
最大反向二极管电压:5 V
最大正向二极管电压:1.8 V
最大波特率:1 MBps
电流传递比:19 %
RoHS:是
产品种类:高速光耦合器
制造商:Everlight
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