6N136S_Q

厂家：: Fairchild Semiconductor
封装：: SMD-8
数量：: 1980
说明：: 高速光耦合器 SO-8 HS PHOTO TRAN

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6N136S_Q PDF参数资料

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中文参数如下：

上升时间：0.8 us
输出设备：Phototransistor
每芯片的通道数量：1 Channel
绝缘电压：2500 Vrms
输入类型：DC
下降时间：0.8 us
包装形式：Bulk
封装形式：SMD-8
最小工作温度：0 C
最大工作温度：+ 70 C
最大功率耗散：100 mW
最大输入二极管电流：25 mA
最大反向二极管电压：5 V
最大正向二极管电压：1.7 V
最大波特率：1 MBps
电流传递比：27 %
RoHS：否
产品种类：高速光耦合器
制造商：Fairchild Semiconductor

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