4N35-560E

厂家：: Avago Technologies
封装：: 6-SMD
数量：: 2466
说明：: 晶体管输出光电耦合器 3550 Vrms 60mA

一、本商品被浏览0次.

4N35-560E PDF参数资料

点击下载PDF参数资料
中文参数如下：

工厂包装数量：1000
输出类型：DC
输出设备：NPN Phototransistor
每芯片的通道数量：1 Channel
最大上升时间：10 us
最大反向二极管电压：6 V
最大输入二极管电流：60 mA
最大下降时间：10 us
包装形式：Reel
封装形式：PDIP-6 Gull Wing
最小工作温度：- 55 C
最大工作温度：+ 100 C
最大功率耗散：350 mW
最大集电极电流：100 mA
最大正向二极管电压：1.5 V
绝缘电压：3550 Vrms
最大集电极/发射极饱和电压：0.3 V
最大集电极/发射极电压：30 V
输入类型：DC
RoHS：是
产品种类：晶体管输出光电耦合器
制造商：Avago Technologies

以上是4N35-560E的详细信息，包括4N35-560E厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

其他光耦合器/光电耦合器产品：

光隔离放大器高线性光耦合器三极与 SCR 输出光电耦合器晶体管输出光电耦合器高速光耦合器

光电二极管输出光电耦合器最新产品：