4N35M

厂家：: Lite-On
封装：: 6-DIP
数量：: 2511
说明：: 晶体管输出光电耦合器 PTR 100%, 3.5KV

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4N35M PDF参数资料

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中文参数如下：

工厂包装数量：65
输出类型：DC
输出设备：NPN Phototransistor
每芯片的通道数量：1 Channel
最大上升时间：10 us
最大反向二极管电压：6 V
最大输入二极管电流：60 mA
最大下降时间：10 us
包装形式：Tube
封装形式：PDIP-6
最小工作温度：- 55 C
最大工作温度：+ 100 C
最大功率耗散：350 mW
最大集电极电流：100 mA
最大正向二极管电压：1.5 V
绝缘电压：3550 Vrms
最大集电极/发射极饱和电压：0.3 V
最大集电极/发射极电压：30 V
输入类型：DC
RoHS：是
产品种类：晶体管输出光电耦合器
制造商：Lite-On

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