2SK3667(Q)

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中文参数如下：

工厂包装数量：50
功率耗散：450 W
包装形式：Bulk
封装形式：TO-220 SIS
安装风格：SMD/SMT
配置：Single
电阻汲极/源极 RDS（导通）：1 Ohms
漏极连续电流：7.5 A
闸/源击穿电压：30 V
汲极/源极击穿电压：600 V
晶体管极性：N-Channel
RoHS：否
产品种类：MOSFET
制造商：Toshiba

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