中文参数如下:
工厂包装数量:1000
上升时间:15 ns
功率耗散:100 W
下降时间:15 ns
封装形式:TO-220 SM
安装风格:Through Hole
配置:Single
电阻汲极/源极 RDS(导通):0.4 Ohms
漏极连续电流:13 A
闸/源击穿电压:30 V
汲极/源极击穿电压:450 V
晶体管极性:N-Channel
RoHS:是
产品种类:MOSFET
制造商:Toshiba
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