中文参数如下:
工厂包装数量:200
上升时间:15 ns
功率耗散:20 W
下降时间:40 ns
包装形式:Bulk
封装形式:PW-MOLD
安装风格:SMD/SMT
配置:Single
电阻汲极/源极 RDS(导通):20 Ohms
漏极连续电流:1 A
闸/源击穿电压:30 V
汲极/源极击穿电压:900 V
晶体管极性:N-Channel
RoHS:是
产品种类:MOSFET
制造商:Toshiba
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