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中文参数如下:
典型关闭延迟时间:65 ns
工厂包装数量:25
上升时间:160 ns
功率耗散:250 W
栅极电荷 Qg:280 nC
下降时间:245 ns
包装形式:Bulk
封装形式:TO-3P
安装风格:Through Hole
配置:Single
电阻汲极/源极 RDS(导通):0.095 Ohms
漏极连续电流:50 A
汲极/源极击穿电压:500 V
晶体管极性:N-Channel
RoHS:是
产品种类:MOSFET
制造商:Toshiba
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