中文参数如下:
典型关闭延迟时间:60 ns
工厂包装数量:50
上升时间:55 ns
功率耗散:45 W
栅极电荷 Qg:110 nC
下降时间:180 ns
封装形式:TO-220 NIS
安装风格:SMD/SMT
配置:Single
电阻汲极/源极 RDS(导通):25 mOhms
漏极连续电流:45 A
汲极/源极击穿电压:60 V
晶体管极性:N-Channel
RoHS:是
产品种类:MOSFET
制造商:Toshiba
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